Plasma嵌入-PTFE

等离子嵌入式刻入技术Plasma为第四位物态,由离散气粒子组成,通过射频或加热产生为了理解等离子蚀刻过程,重要的是理解等离子蚀刻系统的工作系统由两个对称电极组成,生成射频并安装标定样本的地面电极气插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件内插件气进系统后,电压应用到局部离子化气粒子

通常生成电频为13.6MHz,视之为标准等离子组成频率放射性频用于刺激气体电子并改变状态切片系统生成高速等离子脉冲视嵌入类型(干或湿)而定,等离子由离子或基组成等离子刻入过程还产生挥发化物,在等离子与拟嵌入材料之间的化学反作用中作为副产品组成等离子原子嵌入打印电路板需要时间

等离子嵌入系统模式随拟刻材料类型、等同性质和嵌入类型而异举例说,干嵌入系统操作射频电容联动影响等离子生成方式的其他因素为温度和压力最小操作压力变化可大大改变电子碰撞频率维系等离子体状态非常重要 保持操作压力

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